SiC MOSFET 工艺电性本体 v1.0.0

面向车规主驱 SiC MOSFET 工艺收敛与电性归因的领域本体与知识图谱：以 1200V 平面栅平台为对象，构建制造对象、工艺执行、观测、中间变量、电性、缺陷、知识七大类体系（63 类 / 35 对象属性 / 24 数据属性），显式编码「参数→中间变量→电性」物理因果链与「信号→诊断→根因→行动」证据链。含 2 条 SWRL 规则（D1 沟道迁移率三条件交叉验证、M6 批次效应护栏）、12 组 SHACL 形状（规格窗、Vth 2.0V 安全红线、机台能力、热预算总账、片间名额）与 7 条诊断规则注册表，支撑投片前硬约束门禁、轮次归因证据链与经验四元组资产化。